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制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
通道数量: 4 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 6 A, 4.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 25 mOhms, 50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 11.7 nC, 11.4 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.5 W
通道模式: Enhancement
系列: DMHC3025
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Diodes Incorporated
配置: Quad
下降时间: 8.7 ns, 13.5 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 15 ns, 4.9 ns
2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 2 N-Channel, 2 P-Channel
典型关闭延迟时间: 17.5 ns, 28.2 ns
典型接通延迟时间: 11.2 ns, 7.5 ns
单位重量: 750 mg
