BAV99-7-F
- 品牌：
Diodes Incorporated
- 封装：
- 数量：
2
- 备注：
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:二极管 - 通用，功率，开关 产品:Switching Diodes 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 峰值反向电压:75 V 系列:BAV99 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Diodes Incorporated 高度:1 mm 长度:3.05 mm
- 批号：
- 价格：
BAV99LT1G
- 品牌：
onsemi
- 封装：
- 数量：
1
- 备注：
产品属性属性值搜索类似 制造商:onsemi 产品种类:二极管 - 通用，功率，开关 RoHS: 详细信息 产品:Switching Diodes 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 峰值反向电压:100 V 系列:BAV99L 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:onsemi 高度:0.94 mm 长度:2.9 mm 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching 3000 子类别:Diodes & Rectifiers 类型:Switching Diode 宽度:1.3 mm 单位重量:8 mg
- 批号：
- 价格：
DFLS1200-7
- 品牌：
Diodes Incorporated
- 封装：
- 数量：
1
- 备注：
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:肖特基二极管与整流器 产品:Schottky Diodes 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerDI-123-2 配置:Single 技术:Si
- 批号：
- 价格：
DMP10H4D2S-7
- 品牌：
Diodes Incorporated
- 封装：
Reel
- 数量：
1
- 备注：
产品属性属性值搜索类似 制造商:Diodes Incorporated 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:100 V Id-连续漏极电流:270 mA Rds On-漏源导通电阻:4.2 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1 V Qg-栅极电荷:1.8 nC Pd-功率耗散:440 mW 通道模式:Enhancement 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Diodes Incorporated 配置:Single 下降时间:4.9 ns 高度:0.975 mm 长度:2.9 mm 产品类型:MOSFET 上升时间:2.6 ns 系列:DMP10 3000 子类别:MOSFETs 晶体管类型:1 P-Channel 典型关闭延迟时间:8.4 ns 典型接通延迟时间:3.3 ns 宽度:1.3 mm 单位重量:8 mg
- 批号：
- 价格：
DMP2045U-7
- 品牌：
Diodes Incorporated
- 封装：
- 数量：
1
- 备注：
产品属性属性值搜索类似 制造商:Diodes Incorporated 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:3.9 A Rds On-漏源导通电阻:42.5 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 V Vgs th-栅源极阈值电压:1 V Qg-栅极电荷:- Pd-功率耗散:1.2 W 通道模式:Enhancement 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Diodes Incorporated 配置:Single 产品类型:MOSFET 3000 子类别:MOSFETs 晶体管类型:1 P-Channel 单位重量:8 mg
- 批号：
- 价格：
