BAV99-7-F
- 品牌：
Diodes Incorporated
- 封装：
- 数量：
2
- 备注：
制造商:DiodesIncorporated 产品种类:二极管-通用，功率，开关 产品:SwitchingDiodes 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:SOT-23-3 峰值反向电压:75V 系列:BAV99 封装:Reel 封装:CutTape 封装:MouseReel 商标:DiodesIncorporated 高度:1mm 长度:3.05mm
- 批号：
- 价格：
BAV99LT1G
- 品牌：
onsemi
- 封装：
- 数量：
1
- 备注：
产品属性属性值搜索类似 制造商:onsemi 产品种类:二极管-通用，功率，开关 RoHS:详细信息 产品:SwitchingDiodes 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:SOT-23-3 峰值反向电压:100V 系列:BAV99L 封装:Reel 封装:CutTape 封装:MouseReel 商标:onsemi 高度:0.94mm 长度:2.9mm 产品类型:Diodes-GeneralPurpose,Power,Switching 3000 子类别:Diodes&Rectifiers 类型:SwitchingDiode 宽度:1.3mm 单位重量:8mg
- 批号：
- 价格：
DFLS1200-7
- 品牌：
Diodes Incorporated
- 封装：
- 数量：
1
- 备注：
制造商:DiodesIncorporated 产品种类:肖特基二极管与整流器 产品:SchottkyDiodes 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:PowerDI-123-2 配置:Single 技术:Si
- 批号：
- 价格：
DMP10H4D2S-7
- 品牌：
Diodes Incorporated
- 封装：
Reel
- 数量：
1
- 备注：
产品属性属性值搜索类似 制造商:DiodesIncorporated 产品种类:MOSFET RoHS:详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:SOT-23-3 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1Channel Vds-漏源极击穿电压:100V Id-连续漏极电流:270mA RdsOn-漏源导通电阻:4.2Ohms Vgs-栅极-源极电压:-20V,+20V Vgsth-栅源极阈值电压:1V Qg-栅极电荷:1.8nC Pd-功率耗散:440mW 通道模式:Enhancement 封装:Reel 封装:CutTape 封装:MouseReel 商标:DiodesIncorporated 配置:Single 下降时间:4.9ns 高度:0.975mm 长度:2.9mm 产品类型:MOSFET 上升时间:2.6ns 系列:DMP10 3000 子类别:MOSFETs 晶体管类型:1P-Channel 典型关闭延迟时间:8.4ns 典型接通延迟时间:3.3ns 宽度:1.3mm 单位重量:8mg
- 批号：
- 价格：
DMP2045U-7
- 品牌：
Diodes Incorporated
- 封装：
- 数量：
1
- 备注：
产品属性属性值搜索类似 制造商:DiodesIncorporated 产品种类:MOSFET RoHS:详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:SOT-23-3 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1Channel Vds-漏源极击穿电压:20V Id-连续漏极电流:3.9A RdsOn-漏源导通电阻:42.5mOhms Vgs-栅极-源极电压:-8V,+8V Vgsth-栅源极阈值电压:1V Qg-栅极电荷:- Pd-功率耗散:1.2W 通道模式:Enhancement 封装:Reel 封装:CutTape 封装:MouseReel 商标:DiodesIncorporated 配置:Single 产品类型:MOSFET 3000 子类别:MOSFETs 晶体管类型:1P-Channel 单位重量:8mg
- 批号：
- 价格：
